Elektronische componenten die gebruik maken van galliumnitride (GaN) gaan zuiniger om met energie en vereisen minder koeling om te werken ten opzichte van silicium onderdelen. Dit blijkt uit onderzoek van het Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) die momenteel een nieuwe generatie spanningsomvormers ontwerpt.
De bestaande galliumnitride-technologie is verbeterd en lijkt snelle en betrouwbare systemen te geven, ook bij hoge temperaturen. Met nieuwe, goedkopere productietechnieken zouden ze snel in serieproductie kunnen gaan.
In plaats van silicium gebruik te maken van galliumnitride kunnen er efficiëntere spanningsomvormers gemaakt worden. Transistors van galliumnitride hebben een hogere schakelfrequentie, hierdoor verminderen de verliezen binnen de spanningsomvormers. Zo werken ze ook efficiënter bij hoge temperaturen. De eigenschappen van deze halfgeleider zorgen ook voor hogere levensduur en robuustheid. Omdat de transistors een hogere schakelfrequentie krijgen kan het systeem kleiner zijn. Bij kleinere elementen hebben deze minder volume en ook minder koeling nodig. Een kleiner benodigd aantal elementen kan ook zorgen voor lagere productie en operationele kosten.
Heeft dit artikel je geholpen?
